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今日关注:铸造单晶技术有望实现更大突破

发布时间:2019-09-10   浏览次数:

  杨德仁指出,直拉硅单晶效率较高且晶格完整,质量较好,但同时由于能耗高,对应的成本也相对较高。马会开开奖结果免费资料大全论坛从目前的技术现状来看,直拉单晶主要使用的是重复拉晶技术,即将生长完成后的晶体重复拉出,“我们使用的水冷套技术可通过加快冷却速度,缩短生长时间,大幅增加晶体生长长度来降低成本,目前可做到3-4米,生长约4-6根。”

  但光衰减是直拉单晶目前尚未克服的一大挑战。核心原因在于晶体生长时使用的SiCi坩埚,“从根本上解决这个问题需要降低氧含量,目前的研究方向主要有两点,一是在现有的SiCi坩埚加高层的二氧化硅或其他涂层,使氧难以进入硅垄体;二是做高纯的碳化硅的SiCi坩埚。”

  蜂巢硅片是目前直拉单晶在国际上盛行的一种新技术。杨德仁介绍,实现雄安新区直通香港。天空图库。将单晶硅片切成六边形,单晶成品棒利用率可增加19%,单晶硅片的非硅成本下降10%以上,并且能够兼容PERC等各种高效电池技术。

  铸锭单晶是将直拉与铸造的优势结合之后的新技术,但杨德仁表示,在实际生产过程中铸锭单晶还是会遇到一些问题,“第一是需要新增籽晶的成本,第二是单晶率,第三是高密度位错,第四是材料的利用率,这些问题都是投入产业过程中需要继续克服和解决的问题。我们提出一个方法晶界工程。”

  对于高密度错位的问题,杨德仁提出了晶界工程的解决方案。“晶界工程可以抑制它的位错,据我们去年的实验显示,选择13a的晶面,可以看到底部到顶部整个的晶界非常清晰,边缘硅锭制备电池的平均效率绝对值提高了0.59%,中心区铸造单晶与直拉单晶效率相差0.05%,达到了直拉单晶的水平。”

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